“抗刻蚀比方面跟它们的基本上是一个水平，曝光宽容度也是基本相当，但是还有提升空间。”
所以肯定也还是要问清楚一下的。
南山化学生产的euv光刻胶的灵敏度虽然略低于jsr，但是不影响使用，无非就是要多消耗一点光刻胶而已。
但是实际生产过程中，由于受外界环境的影响必然会有剂量的偏差。
“我们的灵敏度稍微比jsr的低一些，但是对比度比它们的要高。”
赖远鸿一下就把主要的几个性能指标的情况给介绍了一下。
举例子，如果某一光刻胶与硅的抗刻蚀比为10，这表明当刻蚀硅的速度为1μm/min时，光刻胶的刻蚀速度只有100nm/min。
要不然你的光刻胶对工艺的要求很高的话，就会导致良品率变低，生产成本变高。
这个问题是曹阳最关注的问题。
比如一部分光刻胶，其实之前就有高校或者研究所在实验室里头能够生产出来。
在结果好的情况下，再去关注过程。
在没有确定自己的光刻胶可以大规模的销售之前，很多公司都是不敢去投资的。
至于抗刻蚀比，这一性能通常是以刻蚀胶的速度与刻蚀衬底材料的速度之比来表示的，又称之为选择比。
每年申请下来的经费能够把论文给写出来就算是不错了。
“是的，其他的指标，不管是热流动性还是膨胀性能，还是粘度和保质期都是不比人家要差。”
不少产品华夏不是一点生产能力都没有，而是没有足够的订单或者市场很小的话，那么就没有经济性。
否则的话没有好结果，什么都是没有意义的。
正常情况下，光刻胶拥有一个最佳的曝光剂量，在光刻时，应该使整个晶圆包表面的曝光剂量一致，且尽可能接近最佳曝光剂量。
光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度，对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。
而这些设备的价格不便宜。
但是不良率比较高，并且大规模生产的话需要投资专门的设备。
曝光宽容度大的胶受曝光能量浮动或不均匀的影响较小，更适合生产需求。
南山化学在这方面的性能，显然是很不错的。
更加不用说这些高校或者科研院所本来就缺钱。
毕竟作为老板，肯定是要看重结果的。