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第363章 星尘闪耀(二)- 特种电子气体与高纯靶材的隐形冠军!(1 / 2)

2013年,盛夏的余温,被秋日的第一缕凉风悄然吹散。

然而,在启明芯集团内部,以及整个华夏半导体产业界,

那股因为“神农光刻胶SP-28”成功实现工业化量产和产线验证,

而引发的激动与自豪的热浪,却依旧在持续高涨,久久不息!

林轩,这位一手缔造了这场“材料革命”的总设计师,却并没有沉醉在阶段性的胜利喜悦之中。

他的目光,早已从光刻胶这颗“皇冠上的明珠”,

投向了构成半导体产业链这座巍峨金字塔的、更多更基础、也同样被国外巨头“卡住脖子”的——核心战略环节!

“光刻胶的突破,仅仅是为我们撕开了一道微小的缺口。”

在一次“星尘补天计划”核心战略推进会上,林轩对着赵晴鸢、顾维钧、理查德·刘,

以及几位新近从国家级科研院所和大型化工集团抽调来的、专门负责不同材料攻关方向的顶尖专家,语气平静却带着不容置疑的战略决心,

“要想真正实现华夏半导体上游产业链的全面自主可控,我们还有太多的‘硬仗’要打,太多的‘高地’需要去攻占!”

他身后那块巨大的全息星图上,代表着半导体核心材料的星云图谱,

再次被点亮。这一次,除了光刻胶之外,

另外两个闪耀着刺目红光的“卡脖子”节点,被重点标记了出来:

超高纯度特种电子气体! 以及 高纯度金属溅射靶材!

这两种看似不起眼的工业耗材,却是现代集成电路制造中,与光刻胶同等重要、甚至在某些特定工艺环节更为关键的——“血液”与“食粮”!

超高纯度特种电子气体,如用于精确刻蚀芯片线路的C4F8、CHF3、NF3等含氟气体,

以及用于原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)形成各种功能薄膜的WF6(六氟化钨)、SiH4(硅烷)、高纯NH3(氨气)等。

它们对纯度的要求,往往达到惊人的6N(99.9999%)甚至7N(99.%)以上!

任何ppb(十亿分之一)甚至ppt(万亿分之一)级别的微量金属或有机杂质污染,

都可能导致整片晶圆的电学性能发生灾难性的偏移,甚至直接报废!

长期以来,这一领域的核心技术和全球市场,被米国的空气化工、普莱克斯,

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